La vitrine de diffusion des publications et contributions des chercheurs de l'ÉTS
RECHERCHER

GaAs FET's gate current behavior and its effects on RF performance and reliability in SSPA's

Constantin, Nicolas et Ghannouchi, Fadhel M.. 1995. « GaAs FET's gate current behavior and its effects on RF performance and reliability in SSPA's ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 43, nº 12. p. 2918-2925.
Compte des citations dans Scopus : 2.

Le plein texte de ce document n'est pas hébergé sur ce serveur.
Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Constantin, Nicolas
Affiliation: Génie électrique
Date de dépôt: 06 nov. 2015 15:52
Dernière modification: 06 nov. 2015 15:52
URI: http://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/11785

Actions (Authentification requise)

Dernière vérification avant le dépôt Dernière vérification avant le dépôt