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GaN high electron mobility transistors: a review from parasitic elements extraction's perspective

Jarndal, Anwar et Kouki, Ammar. 2016. « GaN high electron mobility transistors: a review from parasitic elements extraction's perspective ». The Journal of Engineering.

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Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Kouki, Ammar B.
Affiliation: Génie électrique
Date de dépôt: 25 juill. 2016 20:15
Dernière modification: 26 oct. 2016 17:40
URI: http://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/13364

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