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Structural and optoelectronic properties of germanium-rich islands grown on silicon using molecular beam epitaxy

Nataraj, L. et Sustersic, N. et Coppinger, M. et Gerlein, L. F. et Kolodzey, J. et Cloutier, S. G.. 2010. « Structural and optoelectronic properties of germanium-rich islands grown on silicon using molecular beam epitaxy ». Applied Physics Letters, vol. 96, nº 12.
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Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Cloutier, Sylvain G.
Affiliation: Autres
Date de dépôt: 27 janv. 2017 16:44
Dernière modification: 27 janv. 2017 16:44
URI: http://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/14451

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