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Switching power MOSFET performance: a compromise between EMI generation and thermal consideration

Blanchette, Handy et Al Haddad, Kamal. 2006. « Switching power MOSFET performance: a compromise between EMI generation and thermal consideration ». In IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE) (Montreal, Canada, Jul. 9-13, 2006) pp. 1293-1298. Piscataway, NJ, USA : Institute of Electrical and Electronics Engineers.
Compte des citations dans Scopus : 4.

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Type de document: Compte rendu de conférence
ISBN: 1-4244-0496-7
Professeur:
Professeur
Fortin Blanchette, Handy
Al Haddad, Kamal
Affiliation: Autres, Génie électrique
Date de dépôt: 30 oct. 2012 18:17
Dernière modification: 20 sept. 2022 13:58
URI: https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/2670

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