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Enhanced DC model for GaN HEMT transistors with built-in thermal and trapping effects

Birafane, A. et Aflaki, P. et Kouki, A. B. et Ghannouchi, F. M.. 2012. « Enhanced DC model for GaN HEMT transistors with built-in thermal and trapping effects ». Solid-State Electronics, vol. 76. p. 77-83.
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Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Kouki, Ammar B.
Affiliation: Génie électrique
Date de dépôt: 19 févr. 2013 16:25
Dernière modification: 19 févr. 2013 16:25
URI: http://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/3383

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