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Two novel modeling methodologies for IGBT transistor

Charfi, F. et Messaoud, M. Ben et François, B. et Al-Haddad, Kamal et Sellami, F.. 2002. « Two novel modeling methodologies for IGBT transistor ». In 28th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (Sevilla, Spain, Nov. 5-8, 2002), p. 550-554. Piscataway, NJ, USA : Institute of Electrical and Electronics Engineers.
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Type de document: Compte rendu de conférence
Professeur:
Professeur
Al Haddad, Kamal
Affiliation: Génie électrique
Date de dépôt: 18 avr. 2013 19:03
Dernière modification: 18 avr. 2013 19:03
URI: http://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/4517

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