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A new GaN HEMT equivalent circuit modeling technique based on x-parameters

Essaadali, Riadh et Jarndal, Anwar et Kouki, Ammar et Ghannouchi, Fadhel M.. 2016. « A new GaN HEMT equivalent circuit modeling technique based on x-parameters ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 64, nº 9. p. 2758-2777.

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Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Kouki, Ammar B.
Affiliation: Génie électrique
Date de dépôt: 05 oct. 2016 18:04
Dernière modification: 05 oct. 2016 18:04
URI: http://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/13794

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