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Room temperature capacitance-voltage profile and photoluminescence for delta doped InGaAs single quantum well

Ban, K. Y. et Dahal, S. N. et Honsberg, C. B. et Nataraj, L. et Bremner, S. P. et Cloutier, S. G.. 2010. « Room temperature capacitance-voltage profile and photoluminescence for delta doped InGaAs single quantum well ». Journal of Vacuum Science and Technology B : Nanotechnology and Microelectronics, vol. 28. C3I6-C3I9.

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Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Cloutier, Sylvain G.
Affiliation: Autres
Date de dépôt: 27 janv. 2017 16:53
Dernière modification: 27 janv. 2017 16:53
URI: http://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/14438

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