Essaadali, R., Kouki, Ammar B., Jarndal, A. et Ghannouchi, F. M..
2015.
« Modeling of extrinsic parasitic elements of Si based GaN HEMTs using two step de-embedding structures ».
In 2015 IEEE 16th Annual Wireless and Microwave Technology Conference (WAMICON) (Cocoa Beach, FL, USA, Apr. 13-15, 2015)
Piscataway, NJ, USA : IEEE.
Compte des citations dans Scopus : 3.
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URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1109/WAMICON.2015.7120399
Type de document: | Compte rendu de conférence |
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ISBN: | 978-1-4799-7521-1 |
Professeur: | Professeur Kouki, Ammar B. |
Affiliation: | Génie électrique |
Date de dépôt: | 21 juill. 2015 21:21 |
Dernière modification: | 21 juill. 2015 21:21 |
URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/10011 |
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