Constantin, Nicolas et Ghannouchi, Fadhel M..
1995.
« GaAs FET's gate current behavior and its effects on RF performance and reliability in SSPA's ».
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 43, nº 12.
pp. 2918-2925.
Compte des citations dans Scopus : 4.
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URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1109/22.475656
Type de document: | Article publié dans une revue, révisé par les pairs |
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Professeur: | Professeur Constantin, Nicolas |
Affiliation: | Génie électrique |
Date de dépôt: | 06 nov. 2015 15:52 |
Dernière modification: | 06 nov. 2015 15:52 |
URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/11785 |
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