Constantin, Nicolas et Ghannouchi, Fadhel M..
1995.
« Comprehensive experimental investigation of gate current limitation effects on power GaAs FETs RF performances ».
In IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 1995 (Orlando, FL, USA, May 16-20, 1995)
pp. 717-720.
Compte des citations dans Scopus : 1.
Rechercher dans Google Scholar
URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1109/MWSYM.1995.406007
| Type de document: | Compte rendu de conférence |
|---|---|
| ISBN: | 0149-645X |
| Chercheur(-euse): | Chercheur(-euse) Constantin, Nicolas |
| Affiliation: | Génie électrique |
| Date de dépôt: | 06 nov. 2015 16:19 |
| Dernière modification: | 06 nov. 2015 16:19 |
| URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/11792 |
Actions (Authentification requise)
 |
Dernière vérification avant le dépôt |