Comprehensive experimental investigation of gate current limitation effects on power GaAs FETs RF performances

Constantin, Nicolas et Ghannouchi, Fadhel M.. 1995. « Comprehensive experimental investigation of gate current limitation effects on power GaAs FETs RF performances ». In IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 1995 (Orlando, FL, USA, May 16-20, 1995) pp. 717-720.
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URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1109/MWSYM.1995.406007

Type de document:	Compte rendu de conférence
ISBN:	0149-645X
Professeur:	Professeur Constantin, Nicolas
Affiliation:	Génie électrique
Date de dépôt:	06 nov. 2015 16:19
Dernière modification:	06 nov. 2015 16:19
URI:	https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/11792

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