Jarndal, Anwar et Kouki, Ammar.
2016.
« GaN high electron mobility transistors: a review from parasitic elements extraction's perspective ».
The Journal of Engineering.
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URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1049/joe.2016.0161
| Type de document: | Article publié dans une revue, révisé par les pairs |
|---|---|
| Professeur: | Professeur Kouki, Ammar B. |
| Affiliation: | Génie électrique |
| Date de dépôt: | 25 juill. 2016 20:15 |
| Dernière modification: | 26 oct. 2016 17:40 |
| URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/13364 |
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