ENGLISH
La vitrine de diffusion des publications et contributions des chercheurs(-euses) de l'ÉTS
RECHERCHER

Circuit level modeling of extra combinational delays in SRAM FPGAs due to transient ionizing radiation

Darvishi, M., Audet, Y., Blaquière, Y. et Thibeault, C.. 2014. « Circuit level modeling of extra combinational delays in SRAM FPGAs due to transient ionizing radiation ». Affiche présentée lors de la conférence : IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (Paris, France, July 14-18, 2014).

[thumbnail of Circuit-Level-Modeling-of-Extra-Combinational-Delays-in-SRAM-FPGAs-Due-to-Transient-Ionizing-Radiation.pdf]
Prévisualisation
PDF
Circuit-Level-Modeling-of-Extra-Combinational-Delays-in-SRAM-FPGAs-Due-to-Transient-Ionizing-Radiation.pdf

Télécharger (356kB) | Prévisualisation

Résumé

This paper presents a novel circuit level model that explains and confirms the extra combinational delays in a SRAM-FPGA (Virtex-5) due to radiation, which matches the experimental results by proton irradiation at TRIUMF.

Type de document: Affiche
Chercheur(-euse):
Chercheur(-euse)
Blaquière, Yves
Thibeault, Claude
Affiliation: Autres, Génie électrique
Date de dépôt: 21 févr. 2017 16:55
Dernière modification: 09 mai 2017 18:13
URI: https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/14671

Actions (Authentification requise)

Dernière vérification avant le dépôt Dernière vérification avant le dépôt