Darvishi, M., Audet, Y., Blaquière, Y. et Thibeault, C.. 2014. « Circuit level modeling of extra combinational delays in SRAM FPGAs due to transient ionizing radiation ». Affiche présentée lors de la conférence : IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (Paris, France, July 14-18, 2014).
Prévisualisation |
PDF
Circuit-Level-Modeling-of-Extra-Combinational-Delays-in-SRAM-FPGAs-Due-to-Transient-Ionizing-Radiation.pdf Télécharger (356kB) | Prévisualisation |
Résumé
This paper presents a novel circuit level model that explains and confirms the extra combinational delays in a SRAM-FPGA (Virtex-5) due to radiation, which matches the experimental results by proton irradiation at TRIUMF.
Type de document: | Affiche |
---|---|
Professeur: | Professeur Blaquière, Yves Thibeault, Claude |
Affiliation: | Autres, Génie électrique |
Date de dépôt: | 21 févr. 2017 16:55 |
Dernière modification: | 09 mai 2017 18:13 |
URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/14671 |
Actions (Authentification requise)
Dernière vérification avant le dépôt |