Circuit level modeling of extra combinational delays in SRAM FPGAs due to transient ionizing radiation

Darvishi, M., Audet, Y., Blaquière, Y. et Thibeault, C.. 2014. « Circuit level modeling of extra combinational delays in SRAM FPGAs due to transient ionizing radiation ». Affiche présentée lors de la conférence : IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (Paris, France, July 14-18, 2014).

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Résumé

This paper presents a novel circuit level model that explains and confirms the extra combinational delays in a SRAM-FPGA (Virtex-5) due to radiation, which matches the experimental results by proton irradiation at TRIUMF.

Type de document:	Affiche
Professeur:	Professeur Blaquière, Yves Thibeault, Claude
Affiliation:	Autres, Génie électrique
Date de dépôt:	21 févr. 2017 16:55
Dernière modification:	09 mai 2017 18:13
URI:	https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/14671

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