Graphene-enhanced screen-printed BiFeO3-based thermistors

Fourmont, Paul, Bai, Yin, Fortier, François-Xavier et Cloutier, Sylvain G.. 2022. « Graphene-enhanced screen-printed BiFeO3-based thermistors ». ACS Applied Electronic Materials, vol. 4, nº 12. pp. 5905-5913.
Compte des citations dans Scopus : 1.

	PDF Cloutier-S-2022-25847.pdf - Version acceptée Accès restreint à : Administrateur seulement Licence d'utilisation : Tous les droits réservés aux détenteurs du droit d'auteur. Télécharger (1MB) | Demande de copie
	PDF Cloutier-S-2022-25847-supplement.pdf - Version acceptée Accès restreint à : Administrateur seulement Licence d'utilisation : Tous les droits réservés aux détenteurs du droit d'auteur. Télécharger (1MB) | Demande de copie

Résumé

In this study, serigraphic-grade BiFeO3-based ink formulations are produced and then mixed with graphene to enhance the performances of screen-printed thermistor devices. The devices are printed atop a standard thermally-boosted glass-reinforced epoxy (FR-4) substrate coated with interdigitated gold electrodes. The broader operating temperature range of these thermistors makes them compatible with standard printed circuit boards (PCBs) manufacturing and operating conditions. Thus, we achieve highly-sensitive devices with a temperature coefficient of resistance (TCR) of -0.96 %/°C, which is the highest sensitivity reported yet for any graphene-based thermistor operating from 25 to 170 °C. The best performing devices are loaded with 3.5 wt.% graphene. These low-hysteresis and stable thermistors boast a thermal index (β- coefficient) of 864 K. This optimal graphene loading occurs just above the percolation threshold.

Type de document:	Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:	Professeur Cloutier, Sylvain G.
Affiliation:	Génie électrique
Date de dépôt:	17 nov. 2022 14:41
Dernière modification:	05 janv. 2024 14:50
URI:	https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/25847

Actions (Authentification requise)

Dernière vérification avant le dépôt