Switching power MOSFET performance: a compromise between EMI generation and thermal consideration

Blanchette, Handy et Al Haddad, Kamal. 2006. « Switching power MOSFET performance: a compromise between EMI generation and thermal consideration ». In IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE) (Montreal, Canada, Jul. 9-13, 2006) pp. 1293-1298. Piscataway, NJ, USA : Institute of Electrical and Electronics Engineers.
Compte des citations dans Scopus : 4.

Le plein texte de ce document n'est pas hébergé sur ce serveur.

Rechercher dans Google Scholar

URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1109/ISIE.2006.295659

Type de document:	Compte rendu de conférence
ISBN:	1-4244-0496-7
Professeur:	Professeur Fortin Blanchette, Handy Al Haddad, Kamal
Affiliation:	Autres, Génie électrique
Date de dépôt:	30 oct. 2012 18:17
Dernière modification:	20 sept. 2022 13:58
URI:	https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/2670

Actions (Authentification requise)

Dernière vérification avant le dépôt