Blanchette, Handy et Al Haddad, Kamal.
2006.
« Switching power MOSFET performance: a compromise between EMI generation and thermal consideration ».
In IEEE International Symposium on Industrial Electronics (ISIE) (Montreal, Canada, Jul. 9-13, 2006)
pp. 1293-1298.
Piscataway, NJ, USA : Institute of Electrical and Electronics Engineers.
Compte des citations dans Scopus : 4.
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URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1109/ISIE.2006.295659
Type de document: | Compte rendu de conférence |
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ISBN: | 1-4244-0496-7 |
Professeur: | Professeur Fortin Blanchette, Handy Al Haddad, Kamal |
Affiliation: | Autres, Génie électrique |
Date de dépôt: | 30 oct. 2012 18:17 |
Dernière modification: | 20 sept. 2022 13:58 |
URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/2670 |
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