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A 4-mW 2.2-6.9 GHz LNA in 16 nm FinFET technology for cryogenic applications

Chen, Runzhou, Mani, Hamdi, Marsh, Phil, Hadi, Richard Al, Shrestha, Pragya, Campbell, Jason, Chen, Christopher, Chien, Hao-Yu, Galatsis, Kosmas et Chang, Mau-Chung Frank. 2024. « A 4-mW 2.2-6.9 GHz LNA in 16 nm FinFET technology for cryogenic applications ». IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, vol. 34, nº 12. pp. 1351-1354.

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Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Al Hadi, Richard
Affiliation: Génie électrique
Date de dépôt: 22 nov. 2024 21:27
Dernière modification: 03 janv. 2025 19:43
URI: https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/29912

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