Birafane, A., Aflaki, P., Kouki, A. B. et Ghannouchi, F. M..
2012.
« Enhanced DC model for GaN HEMT transistors with built-in thermal and trapping effects ».
Solid-State Electronics, vol. 76.
pp. 77-83.
Compte des citations dans Scopus : 13.
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URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2012.05.041
| Type de document: | Article publié dans une revue, révisé par les pairs |
|---|---|
| Professeur: | Professeur Kouki, Ammar B. |
| Affiliation: | Génie électrique |
| Date de dépôt: | 19 févr. 2013 16:25 |
| Dernière modification: | 19 févr. 2013 16:25 |
| URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/3383 |
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