Charfi, F., Messaoud, M. Ben, François, B., Al-Haddad, Kamal et Sellami, F..
2002.
« Two novel modeling methodologies for IGBT transistor ».
In 28th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (Sevilla, Spain, Nov. 5-8, 2002)
pp. 550-554.
Piscataway, NJ, USA : Institute of Electrical and Electronics Engineers.
Compte des citations dans Scopus : 8.
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URL Officielle: http://dx.doi.org/10.1109/IECON.2002.1187567
| Type de document: | Compte rendu de conférence |
|---|---|
| ISBN: | 0-7803-7474-6 |
| Professeur: | Professeur Al Haddad, Kamal |
| Affiliation: | Génie électrique |
| Date de dépôt: | 18 avr. 2013 19:03 |
| Dernière modification: | 18 avr. 2013 19:03 |
| URI: | https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/4517 |
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