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Anisotropic carrier transport induced by high-field terahertz pulses in n-doped InGaAs

Blanchard, F., Su, F. H., Razzari, L., Sharma, G., Morandotti, R., Ozaki, T., Reid, M. et Hegmann, F. A.. 2010. « Anisotropic carrier transport induced by high-field terahertz pulses in n-doped InGaAs ». [Résumé d'une communication à une conférence]. Bulletin of the American Physical Society, vol. 55, nº 2.

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Type de document: Article publié dans une revue, révisé par les pairs
Professeur:
Professeur
Blanchard, François
Affiliation: Autres
Date de dépôt: 27 janv. 2015 21:49
Dernière modification: 19 mars 2024 14:55
URI: https://espace2.etsmtl.ca/id/eprint/9240

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